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Renesas瑞薩晶振
- 產品型號：83504160
- 晶振頻率：25MHz
- 晶振尺寸：7.0*5.0*1.5mm
- 產品應用： 美國GED晶振,6G無線設備晶振,SMD100.3C(E/D)-25.000MHz晶振,美國通用晶振公司，GED晶振，石英晶振，貼片晶振，四腳晶振，有源晶振，環保晶振，6G衛星晶振，6G通訊無源晶振，環保無鉛晶振，表面貼裝HCMOS/TTL兼容振蕩器...
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美國GED晶振,6G無線設備晶振,SMD100.3C(E/D)-25.000MHz晶振
美國GED晶振,6G無線設備晶振,SMD100.3C(E/D)-25.000MHz晶振,美國通用晶振公司，GED晶振，石英晶振，貼片晶振，四腳晶振，有源晶振，環保晶振，6G衛星晶振，6G通訊無源晶振，環保無鉛晶振，表面貼裝HCMOS/TTL兼容振蕩器，HCMOS/TTL輸出，5.0V供電電壓，陶瓷SMD封裝，可用于磁帶和卷軸
美國GED晶振,6G無線設備晶振,SMD100.3C(E/D)-25.000MHz晶振
| 電氣參數 | |
| 頻率范圍 | 1.0 to 133.000MHz |
| 頻率容差 |
±20ppm ±25ppm ±50ppm ±100ppm |
| 工作溫度 | 0°C to +70°C or –40°C to 85°C |
| 儲存溫度范圍 | -55 ~ +125°C |
| 電源電壓 | +5.0VDC ±10% |
| 輸入電流 |
1.000MHz to 32.000MHz 20mA Max 33.000MHz to 49.000MHz 45mA Max 50.000MHz to 69.000MHz 50mA Max 70.000MHz to 133.000MHz 100mA Max |
| 對稱性 | 50±10% Standard, 50±5% Available |
| 上升/下降時間 | 5nSeconds Typical, 10nSeconds Max |
| 5nSeconds Typical, 10nSeconds Max | |
| 輸出電平 | VOL : 0.4V Max VOH : +2.4V Min |
| VOL : 0.5V Max VOH : VDD – 0.5V Min | |
| 輸出負載 | CMOS, compatible, 1~10TTL Gates |
| 引腳1選項 | No connection Enable/Disable (Tristate) |
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美國GED晶振,6G無線設備晶振,SMD100.3C(E/D)-25.000MHz晶振
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