應(yīng)用案例
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貼片晶振 SMD Crystal -
石英晶振 Quartz crystal -
圓柱晶振 KHZ Crystal -
聲表面諧振器|濾波器 SAW Resonator -
陶瓷晶振 Ceramic Resonator -
陶瓷濾波器 Ceramic Filte -
陶瓷霧化片 Atomization piece -
NJR晶振 NJR CRYSTAL -
日本大真空晶振 KDS crystal -
愛普生石英晶振 EPSON Crystal -
西鐵城晶體 CITIZEN Crystal -
精工晶體 SEIKO Crystal -
村田陶瓷諧振器 muRata Crystal -
京瓷貼片晶振 -
NDK石英晶振 NDK CRYSTAL -
CTS晶振 CTS石英晶振 -
大河晶振 日本大河晶體 -
TXC石英晶振 臺灣晶技 -
泰藝石英晶振 泰藝SMD晶體 -
鴻星貼片晶振 HOSONIC -
加高石英晶振 加高石英晶體諧振器 -
臺灣亞陶晶振 亞陶石英晶振 -
NAKA晶振 NAKA晶振 -
SMI晶振 -
AKER晶振 AKER晶振 -
NKG晶振 NKG CRYSTAL -
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VECTRON晶振 維管晶振 -
JAUCH晶振 JAUCH CRYSTAL -
ConnorWinfield晶振 康納溫菲爾德晶振 -
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ECS晶振 伊西斯晶振 -
CTS晶振 西迪斯晶振 -
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ECLIPTEK晶振 日蝕晶振 -
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SITIME晶振 可編程晶振 -
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RALTRON晶振 拉隆晶振 -
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FRE-TECH晶振 弗萊特晶振 -
KVG晶振 KVG CRYSTAL -
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ACT CRYSTAL ACT CRYSTAL -
mti-milliren crystal -
Lihom晶振 Lihom晶振 -
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Anderson晶振 Anderson crystal -
Wenzel晶振 WENZEL CRYSTAL -
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FCD-Tech晶振 FCD-Tech Crystal -
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FMI晶振 FMI crystal -
AXTAL晶振 AXTAL crystal -
SUNNY晶振 SUNNY CRYSTAL -
ARGO晶振 ARGO晶振公司是專業(yè)提供和設(shè)計(jì)波段頻率控制設(shè)備和微波無線通信零部件.我們還分銷日本,歐洲和美國的一些知名品牌零部件.我們致力于發(fā)展與計(jì)算機(jī),IT和無線通信公司無任何界限的信息時(shí)代.我們秉承經(jīng)營者的踏實(shí),誠懇的態(tài)度,互惠互利的精神,實(shí)現(xiàn)共贏的目標(biāo),以誠信為本,誠信為本,公平交易為宗旨,以誠信,勤勉,誠信,精神質(zhì)量第一,客戶滿意的經(jīng)營理念,將以優(yōu)良的產(chǎn)品質(zhì)量,優(yōu)惠的價(jià)格,優(yōu)質(zhì)的服務(wù)與您建立長期穩(wěn)定的合作關(guān)系,共創(chuàng)輝煌事業(yè).
- 產(chǎn)品型號：77739801
- 晶振頻率：26.000~76.800MHZ
- 晶振尺寸：1.6*1.2*0.45mm 詳細(xì)資料參考PDF
- 產(chǎn)品應(yīng)用： 貼片晶振采用了多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等）。使用此鍍...
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NDK晶振,石英晶振,NX1612SB晶振
航欄(7).jpg)
日本電波工業(yè)株式NDK晶振所說的LCA指的是“生命周期評估”，它包括評估產(chǎn)品的壽命。在這里，產(chǎn)品的生命不僅僅是產(chǎn)品本身的制造階段，而是包括原料組成產(chǎn)品的零件/材料的開采階段，包括產(chǎn)品的制造階段，銷售階段，包括到產(chǎn)品交付給用戶使用的階段，包括產(chǎn)品使用由用戶和維修/維護(hù)參與它，和處置階段，通過用戶廢棄產(chǎn)品回收，回收或處置。在ISO14000系列環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)中也建立了國際標(biāo)準(zhǔn)。
日本電波工業(yè)株式NDK晶振超低電壓驅(qū)動的CO2排放量（0.8V ~）型時(shí)鐘晶體振蕩器（nz2520sf）采用最先進(jìn)的技術(shù)和傳統(tǒng)的產(chǎn)品開發(fā)（2700系列）是由環(huán)境LCA技術(shù)相比。二氧化碳排放量的計(jì)算量的部分制造，產(chǎn)品制造和我們的產(chǎn)品納入筆記本電腦的功耗，以及產(chǎn)品運(yùn)輸?shù)娜剂舷牧俊Ｋ捎玫姆治龇椒ㄊ?ldquo;現(xiàn)場類型”，研究工廠和生產(chǎn)線單位的功耗，然后從產(chǎn)品的總金額，每產(chǎn)品的功耗。
| NDK晶振規(guī)格 | 單位 | NX1612SB晶振 | 石英晶振基本條件 |
| 標(biāo)準(zhǔn)頻率 | f_nom | 26 - 76.8 MHz | 標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
| 儲存溫度 | T_stg | −40 - +85 °C | 裸存 |
| 工作溫度 | T_use | −30 - +85 °C | 標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
| 激勵功率 | DL | 10μW Max. | 推薦:1μW ～ 100μW |
| 頻率公差 | f_— l |
±10 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±10 × 10-6 ～ ±12 × 10-6 可用) |
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.qixiaohong138.cn |
| 頻率溫度特征 | f_tem | ±10 × 10-6/-30°C ～ +85°C | 超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
| 負(fù)載電容 | CL | 7PF | 不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們. |
| 串聯(lián)電阻(ESR) | R1 | 如下表所示 | -40°C — +85°C, DL = 100μW |
| 頻率老化 | f_age | ±5 × 10-6 / year Max. | +25°C,第一年 |
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晶振使用說明
支架：一個(gè)箱體，內(nèi)裝一塊薄薄的石英晶體或帶有真空蒸發(fā)金屬電極的晶體條和用于連接的端子。
頻率：每秒輸出波形的周期數(shù)。頻率單位是每秒周期數(shù)，或赫茲，縮寫為Hz。
基本模式：晶體的主要模式。
Overtone模式：根據(jù)指定的振蕩模式分配給奇數(shù)的頻率。標(biāo)準(zhǔn)的第三種泛音模式，其次是第五，第七，第九等。超越第九種泛音是不切實(shí)際的。這些頻率并不完全是基頻的三倍，五倍，七倍或九倍。
頻率容差：室溫下與標(biāo)稱頻率的允許偏差。頻率容差以百分比表示，典型值為±0.005％或百萬分率（ppm），±50ppm。
等效串聯(lián)電阻：晶體在工作諧振電路中表現(xiàn)出的阻抗值。
驅(qū)動電平：電路中晶體的功耗量。驅(qū)動電平以毫瓦或微瓦表示。過高的驅(qū)動電平會導(dǎo)致長期的頻率漂移或晶體破裂。
老化：相對頻率在一段時(shí)間內(nèi)發(fā)生變化。這種頻率變化率通常是指數(shù)性的。通常情況下，老化在頭30天內(nèi)計(jì)算，并計(jì)算長期（一年或十年）。最高的老化率在手術(shù)的第一周內(nèi)發(fā)生，之后緩慢下降。
頻率穩(wěn)定度：與指定溫度范圍內(nèi)（即0至+ 70°C）25°C時(shí)的測量頻率相比，最大允許頻率偏差。
并聯(lián)電容：并聯(lián)電容（CO）是晶體端子之間的電容。它隨封裝而變化，通常它在SMD中較小（典型值為4pF），在含鉛晶體中為6pF。
雜散：通常在工作模式之上的不需要的共振，以dB最大值指定。或ESR的次數(shù)。頻率范圍必須指定。例如，在F0±200kHz的頻率窗口中，雜散響應(yīng)應(yīng)至少為6dB或2.5×R。
振動模式：石英晶體的振動模式隨晶體切割而變化，例如AT切割和BT切割的厚度剪切，或音叉晶體的彎曲模式（+ 5oX）切割，或CT，DT切割的面切模式。最流行的切割是AT切割，它可以在寬廣的溫度變化范圍內(nèi)提供對稱的頻移。
工作溫度范圍：晶體單元在特定條件下工作的溫度范圍。
負(fù)載電容：負(fù)載電容（CL）是振蕩器對兩個(gè)晶體端子的總電容量。當(dāng)晶體在并聯(lián)模式下使用時(shí)，需要指定負(fù)載電容。排放。
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自動安裝時(shí)的沖擊
自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低，并確保在安裝前未對產(chǎn)品特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí)，請重新檢查安裝條件。同時(shí)，在安裝前后，請確保晶體產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。
每個(gè)封裝類型的注意事項(xiàng)
（1）陶瓷包裝產(chǎn)品與SON產(chǎn)品
在焊接陶瓷封裝產(chǎn)品和SON產(chǎn)品 (MC-146晶振,RTC-****NB,RX-****NB) 之后，彎曲電路板會因機(jī)械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂（開裂）。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進(jìn)行電路板切割時(shí)，務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。
陶瓷包裝產(chǎn)品
在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板（環(huán)氧玻璃）上焊接陶瓷封裝產(chǎn)品時(shí)，在溫度長時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂，請事先檢查焊接特性。
（2）陶瓷封裝產(chǎn)品
在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板（環(huán)氧玻璃）上焊接陶瓷封裝產(chǎn)品時(shí)，在溫度長時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂，請事先檢查焊接特性。
（3）柱面式產(chǎn)品
產(chǎn)品的玻璃部分直接彎曲引腳或用力拉伸引腳會導(dǎo)致在引腳根部發(fā)生密封玻璃分裂（開裂），也可能導(dǎo)致氣密性和產(chǎn)品特性受到破壞。當(dāng)晶體產(chǎn)品的引腳需彎曲成下圖所示形狀時(shí)，應(yīng)在這種場景下留出0.5mm的引腳并將其托住，以免發(fā)生分裂。當(dāng)該引腳需修復(fù)時(shí)，請勿拉伸，托住彎曲部分進(jìn)行修正。在該密封部分上施加一定壓力，會導(dǎo)致氣密性受到損壞。所以在此處請不要施加壓力。另外，為避負(fù)機(jī)器共振造成引腳疲勞切斷，建議用粘著劑將產(chǎn)品固在定電路板上。
(4)DIP 產(chǎn)品
已變形的引腳不能插入板孔中。請勿施加過大壓力，以免引腳變形。
（5）SOJ 產(chǎn)品和SOP 產(chǎn)品
請勿施加過大壓力，以免引腳變形。已變形的引腳焊接時(shí)會造成浮起。尤其是SOP產(chǎn)品需要更加小心處理。
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